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2014年12月22日

「物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点のグループと、東京大学物性研究所の研究チームは、シリコン表面上に形成した原子レベルの厚さの超伝導体において、原子1個分の高さの段差（原子ステップ）が超伝導電流の流れを制御するジョセフソン接合として働くことを発見した。」

Web拍手：


「物質・材料研究機構、原子層超伝導体に形成されるジョセフソン接合を発見 - インターネットコム」
http://internetcom.jp/webtech/20141222/nims-finds-josephson-junction-on-atomic-layer-superconductors.html

「
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点のグループと、東京大学物性研究所の研究チームは、シリコン表面上に形成した原子レベルの厚さの超伝導体において、原子1個分の高さの段差（原子ステップ）が超伝導電流の流れを制御するジョセフソン接合として働くことを発見した。
」


「原子層超伝導体に形成されるジョセフソン接合を発見 - プレスリリース | NIMS」
http://www.nims.go.jp/news/press/2014/12/201412110.html

「独立行政法人物質・材料研究機構 | NIMS」
http://www.nims.go.jp/index.html

「東京大学物性研究所」
http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/


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